随着近代科技和工业的发展,人们的生活水平不断提高,但是能源短缺和环境污染两个问题变接踵而来,如此情势下,人们开始着手于环境治理以及新能源的研发。在大量的探索研究中发现,利用太阳能可以同时解决环境污染和能源短缺两个困扰,而光催化技术就是解决困扰的众多方式之一。Fujishima于实验中发现,在通电的半导体TiO₂电极上,有光电催化分解制备氢气的现象发生。这一研究成果,掀起了半导体光催化技术的研发热潮。TiO₂半导体材料是目前理想光催化剂中研究较为成熟的一员,安全、稳定、成本低。但是同时也存在自身的不足使得无法应用于生产生活以及商业化应用当中。为对材料进行改进以达到人们的应用目标,近年来开展了新型窄禁带半导体材料的研究,这之中金属硫化物被发现具备较大的发展前景。金属硫化物具备高太阳光利用率、结构多样性、良好的光催化活性等等优点,因此对金属硫化物的研究也具备一定的热度。在众多金属硫化物中,SnS₂根据自身的诸多优点进而被广泛科研人员所注意。为降低半导体材料的光生载流子的复合率以提高光催化活性,目前已经研究中采用半导体间复合构筑异质结的方法来达到目的。本文以二维SnS₂作为研究中心,展开与零维、二维、三维半导体材料进行复合构筑异质结的研究工作,证实其光催化性能有了较大的改善。本文的主要研究工作根据以下内容展开:（1）以ZnS作为基底,通过水热法将SnS₂与之进行复合。我们比较了不同的SnS₂复合比例情况下,光电化学性能的提高比例。结果证明,相较于纯半导体材料,SnS₂/ZnS异质结的形成确实能够提高其光电化学性能。（2）以二维SnS₂超薄纳米片作为基底,通过水热法将MoS₂二维纳米片与之进行复合。我们比较了不同MoS₂复合比例情况下,光催化活性和光电化学性能的提高情况。结果证明,相较于纯半导体材料,MoS₂/SnS₂异质结的形成能够良好地提高光催化活性和光电化学性能。同样,复合过程存在最佳比例。（3）以三维In₂S₃纳米花作为基底,通过水热法将SnS₂二维纳米片与之复合。我们比较了不同SnS₂复合比例情况下,光催化活性和光电化学性能的提高情况。结果证明,相较于纯半导体材料,SnS₂/In₂S₃异质结的形成能够大幅度提高光催化活性以及光电化学性能。同样,该复合物的性能提高也存在最佳比例。