ZnO薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的Ⅱ-Ⅵ化合物半导体材料,在透明电极、表面声波器件、紫外光探测器、压电器件、压敏器件、气敏传感器、光电子器件等方面具有广泛的用途。本文采用了连续离子层吸附与反应法（SILAR）在玻璃衬底上沉积ZnO多晶薄膜,并用X射线衍射仪（XRD）对薄膜样品进行结构分析,用透射电镜（SEM）测试表面形貌,测光致发光（PL）能谱和透射能谱分析光学性能,用四探针测其电导。结果显示:薄膜样品沿着（002）方向择优生长,具有较强的c轴择优取向;薄膜中晶粒排列致密、均匀,颗粒大小约为50纳米左右;薄膜样品中含的杂质比较少,纯度较高。通过PL光谱的分析,说明ZnO薄膜样品的发光光谱主要由三个峰组成,一个是位于2.72eV附近的蓝带,一个是位于3.09eV附近的强的紫带,还有一个是位于3.44eV的弱的紫外峰;透射光谱显示ZnO薄膜样品在λ约为380nm处出现紫外吸收;四探针测量结果表明样品经退火处理后,可能在450oC左右发生再结晶,薄膜的方块电阻随着退火温度的升高而减小。本论文还用直接沉淀法制备了纤锌矿结构的ZnO纳米粉末并分析了不同焙烧温度对ZnO纳米粉末晶粒的影响。检测结果显示粉末样品的颗粒大小为80nm左右。同时通过工艺比较,发现用ZnCl₂和NaOH为原料制备ZnO纳米粉末比用ZnCl₂和Na₂CO₃为原料制备ZnO纳米粉末的颗粒要小、粒度分布窄;用ZnCl₂和Na₂CO₃为原料制备的ZnO纳米粉末的分散较好;ZnCl₂溶液浓度控制在1mol/L左右比较适合ZnO纳米粉末的形成;在500 oC温度下焙烧效果较好。