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有源矩阵液晶显示器（AMLCD）和有源矩阵有机发光二极管显示器（AMOLED）是新型显示技术的主流，而薄膜晶体管（TFT）是有源矩阵显示驱动电路的核心器件。近些年，以ZnO-TFT为代表的氧化物TFT因具有相对高的迁移率、制造工艺简单、均匀性好、制备温度低、对可见光不敏感等优点而得到了迅速发展，被认为是最有希望的下一代TFT技术。本文主要对ZnO-TFT的制备过程和应力稳定性方面展开了研究，主要内容和结果包括：（1）研究退火次序对器件性能的影响。结果表明，源/漏电极制备前退火处理的器件电性能明显优于源/漏电极制备后退火处理的器件。另外，源/漏电极制备后退火处理的器件在干燥的空气环境下短期存放后，其电性能呈现出明显的退化现象，而对于源/漏电极制备前退火处理的器件电性能的变化相对较小。（2）研究沟道宽度对器件性能的影响。结果表明，阈值电压随着沟道宽度的减小而增大，饱和迁移率随着沟道宽度的减小而增大。（3）研究栅偏压应力对器件性能稳定性的影响。结果表明，在负栅压作用下，关态电流随着应力时间的增加而增加，器件的阈值电压向负方向漂移；在正栅压作用下，关态电流随着应力时间的增加而减小，器件的阈值电压向正方向漂移。（4）研究不同温度下正栅偏压应力对器件性能稳定性的影响。结果表明，在相同的栅应力时间作用下，温度越高，阈值电压的漂移越大，亚阈值摆幅和载流子迁移率的变化几乎可以忽略不计；在加偏压之前，原始的迟滞电压随着温度的升高而增大，但是，施加偏压应力之后，迟滞电压却比施加偏压应力之前有所减小，这种现象在高偏压温度下更为明显。（5）研究源漏电流应力对器件性能稳定性的影响。结果表明，在常温下，不同的源漏电流应力对器件特性没有明显的影响；而随着温度的升高，阈值电压明显向正方向漂移，在50℃时的漂移量最大，转移曲线的迟滞现象也变得更严重，且在亚阈值区存在明显的肩峰。