InGaN量子点与GaN量子点对于提高可见光与紫外区域的发光器件（包含发光二极管和激光二极管）的效率和性能具有重要意义，同时也是制备量子计算单元、探测器和单光子源的重要材料。InGaN量子点是制备高效率太阳能电池的优质材料结构。本论文利用MOCVD（金属有机化学气相沉积）方法，探索了InGaN/GaN与GaN/AlN量子点单层结构的生长工艺，以实现对量子点尺寸、形状、分布均匀性和密度的控制。主要研究内容如下：首先使用HT-AlN/LT-AlN结构作为缓冲层，制备了高晶体质量的GaN模板，以及利用PALE方法生长了低表面粗糙度、低缺陷密度的AlN模板。其次研究了InGaN薄膜表面形貌的演变。InGaN薄膜上出现了类似花瓣形状的团簇，这可能是产生于应力的积累与变化。同时研究了温度、MO源流量等生长参数对表面形貌的影响，发现温度与TMIn流量发挥关键作用。然后研究了InGaN量子点的生长。首先在700°C下，生长出低密度InGaN量子点，密度约4×10⁸cm^-2，平均直径76nm，平均高度8.5nm；然后在600°C下生长出高密度InGaN量子点，密度约1.6×10¹⁰cm^-2，平均直径42nm，平均高度4.2nm。更进一步研究了生长温度，NH3流量，TMIn流量，退火（环境、时间、温度），对量子点生长的影响。并发现生长中断方法是调控量子点尺寸和密度的一种有效方式。最后研究了GaN量子点的生长，使用液滴外延方法，即Ga液滴氮化转变成GaN量子点。Ga液滴出现两种尺寸大小分布，Ga液滴的密度约6.3×10¹⁰cm^-2，直径范围是18-39nm，高度范围是2-12nm。还研究了高温退火对GaN量子点的影响，发现高温退火后，GaN量子点的尺寸和密度都降低了。最后在GaN量子点上生长一层AlGaN覆盖层。