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稀磁半导体近年来凭借其在理论研究和实际应用的潜在价值受到了密切关注。和其他过渡金属掺杂的ZnO材料相比,锰掺杂有其自身的优势,比较大的单个离子磁矩以及与锌离子离子半径差异较小。但是,目前的文献报道主要集中在锰掺杂ZnO薄膜,纳米线,纳米颗粒等结构上,据我们所知,目前还没有关于掺杂ZnO磁性球壳结构的报道。而球壳结构在声子器件,药物传输,活性材料胶囊,离子嵌入,表面功能团,高活性催化剂或携带者,以及尺寸可选择的反应等方面存在潜在的规模应用,故制备掺杂的ZnO磁性球壳结构可以在自旋器件方面发挥重要作用。