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当今,导电薄膜镍酸镧(LaNiO<,3>、LNO)、钴酸锶镧(La<,x>Sr<,1-x>CoO<,3>LSCO)主要用于铁电薄膜钛酸锶钡和锆钛酸铅(BST,PZT)电容器、传感器等的电极材料或缓冲层,广泛应用于微电子学和光电子学.目前铁电薄膜/导电薄膜异质结构的研究仍然是国际上研究的热点.本文采用溶胶凝胶法制备LNO、LSCO导电薄膜,研究了其制备工艺(如热处理制度),组分(La/Sr比)对薄膜性能的影响,并将LNO薄膜用作PZT薄膜的电极和缓冲层,研究PZT/LNO异质结构的铁电、疲劳特性.溶胶凝胶法制备LNO薄膜中,发现预晶化制度对薄膜性能有较大的影向.适当缩短预处理时间和延长退火处理时间有助于薄膜晶粒的长大,从而提高薄膜的电性能.薄膜在空气或还原气氛下进行热处理容易造成薄膜中存在氧空位和缺陷,影响了薄膜的电性能,因此最好在通氧的情况下进行热处理来提高薄膜的电性能.在氧化气氛下,由于氧的1/2O<,2>(g)→O<,o>+V<,M>+h<·> 电负性较大,能够夺取导带中的电子,相当于增加了受主杂质,它能够接受满带中跃迁过来的电子,使满带中的空穴数增加,提高了LaNiO<,3>薄膜的有效载流子数目,因而过剩的氧造成负电中心(金属空位)和空穴,材料电阻减小.在sol-gel制备LSCO薄膜中,研究了La/Sr比对LSCO导电薄膜结构及其电性能的影响,当La/Sr=1,薄膜具有均匀、致密的晶粒,La<,0.5>Sr<,0.5>CoO<,3>处于三方相且电阻率较低.钴酸锶镧导电薄膜的导电主要是通过(Co<4+><,Co3+>),可以认为是空穴导电,属于P型半导体.PZT/LNO异质结结构中,实验表明,和Pt电极相比,LNO薄膜由于和PZT薄膜之间拥有良好晶格匹配性,能促使PZT薄膜呈(100)择优取向,同时使得PZT晶粒趋于致密、均匀,晶粒尺寸变小.引入LNO薄膜能改善PZT薄膜的疲劳特性,主要原因在于LNO中的氧能补充由于反复极化产生的聚集在薄膜和电极界面的氧空位.Au/PZT/LNO结构的PZT的疲劳实验发现,经过10<11>次反转后,剩余极化下降了20﹪;而PZT/Pt薄膜在10<5>次极化反转后,剩余极化就开始下降,10<11>次反转后剩余极化下降了50﹪.