随着VLSI技术的飞速发展,电子系统更容易受到粒子的干扰。晶体管特征尺寸的不断减小,电路的电压、节点电容变得越来越小,因此也降低了粒子辐射所需要高能量粒子的能量阈值,导致了软错误率(Soft Error Rate, SER)大幅度提高。尽管国内外提出了很多电路加固技术,但通常会带来较大的面积开销。因此设计一个良好的电路加固结构或者加固策略变得尤为重要。针对日益严重的电路软错误问题,本文主要进行了以下的工作：(1)掌握了集成电路软错误相关背景知识,以及引起软错误的一些诱因。针对引起软错误的重要原因,单粒子瞬态(Single Event Transient, SET)和单粒子翻转(Single Event Upset, SEU),对近几年国内外的一些研究成果进行了分析和实验,并对不同的解决方法进行分类和比较。(2)提出了一种基于二分查找的电路选择性加固方案。由于现有的电路加固技术通常会带来较大的面积开销,为了平衡电路的面积开销和可靠性,设计了一种新的电路加固平衡指标AF,并基于二分查找算法,将电路中的敏感寄存器替换为三模冗余寄存器来有效容忍电路中的软错误。该方案使得电路的面积开销和可靠性达到了一个平衡,二分查找替换算法简便快捷,能够快速的获得AF的最值。本方案平均需138.56%的面积开销,电路平均故障间隔时间MTBF平均增加为原来的181.37%,提高了电路的可靠性。与其它方案相比,在达到相同的MTBF时,该方案能获得较小的面积开销和AF值,实现了面积开销和可靠性之间的平衡。(3)为了减轻辐射环境中电路受单粒子瞬态的影响,提出了一种低开销的电路加固技术。该方案提出的结构具有较小的面积开销并且能够有效防护电路中的软错误。采用HSPICE仿真工具对其进行仿真,仿真波形验证了该结构功能的正确性。与其它方案相比,在同样的实验条件下,具有更小的面积开销。