【摘 要】
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垂直腔面发射半导体激光器凭借其良好的光束质量、较高的光电转换效率和易于阵列集成等优点,得到了广泛研究者的青睐,并且已经广泛应用于光通信、光显示、光储存、激光打印等
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垂直腔面发射半导体激光器凭借其良好的光束质量、较高的光电转换效率和易于阵列集成等优点,得到了广泛研究者的青睐,并且已经广泛应用于光通信、光显示、光储存、激光打印等领域。本文从改善器件注入电流不均匀、减少器件等效热阻、简化制作工艺、提高器件输出功率出发,设计的一种以ITO薄膜作透明导电窗口的面发射半导体激光器。通过对垂直腔面发射激光器透明导电窗的结构进行设计分析,采用电子束镀膜机制备用作于激光器件导电窗口的ITO薄膜,测试分析薄膜光、电学特性,并对比分析ITO电极与普通环形金属电极对激光器件电流密度分布的影响。分析结果表明,采用ITO薄膜作垂直腔面发射激光器的透明导电窗口,在一定程度上提高了器件的输出功率。
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