本文采用基于全相对论框架的多组态Dirac-Fock方法（MCDF）及相应的大型计算程序GRASP92，研究了处于内壳层激发态和高双激发态的高离化态离子的能级结构、辐射退激发过程和俄歇（非辐射）退激发过程。详细讨论了电子关联效应对处于内壳层激发态和高双激发态的高离化态离子的能级结构、辐射退激发过程和俄歇退激发过程的影响。研究了处于内壳层激发态和高双激发态的高离化态离子的辐射退激发过程和俄歇退激发过程随Z的变化规律。为了使计算结果更加精确，在计算过程中考虑了例如原子核的有限体积效应、Breit效应和量子电动力学效应（QED）等高阶效应。以下是本论文的具体内容和主要研究结果：1.研究了处于内壳层激发态1s（2l2l′）3的类Be硼离子的波函数、能量、辐射退激发几率和非辐射（俄歇）退激发几率，考察了电子关联效应对内壳层激发态1s2p3和1s2s2p2态结构的影响。研究结果表明：电子关联对处于内壳层激发态的BII能量和辐射退激发几率有重要影响，并且价电子-价电子和核电子-价电子关联都需要被考虑。多重激发态1s2p35S2和1s2s2p25P1,5P2,5P3的俄歇跃迁几率比其它态的俄歇跃迁几率小很多，这说明这些态相比于其它态更加稳定。本文还对详细讨论了到不同末态的俄歇分支比的规律，发现当向下填充洞态的电子不需要进行角动量改变时俄歇分支比要大于角动量发生改变时的俄歇分支比。本文计算的能量、辐射和非辐射（俄歇）跃迁几率与其它理论结果进行了比较，符合很好。2.研究了处于内壳层激发态1s（2l2l′）3的高离化态离子（Z=8-28）的波函数、能量、辐射退激发几率和非辐射（俄歇）退激发过程。在计算过程中，采用扩展空间的方法系统考虑了电子关联效应。结果表明：对于一个确定的态，随着Z的增大（从8到28），由于相对论效应的影响，辐射跃迁几率逐渐增大。随着Z的增大，俄歇跃迁几率的变化比较缓慢。在Z=8时，俄歇几率大于辐射几率，说明非辐射退激发（俄歇）过程是主要的退激发通道。而当Z=28的时候，辐射几率超过了俄歇几率。本文详细研究了到末态1s22l（1s22s和1s22p）和1s23l（1s23s,1s23p和1s23d）的俄歇分支比。除了Z=8和10的离子，到末态1s23l的分支比几乎为零。另外，我们还发现五重态5P1,2,3的辐射和俄歇跃迁几率均远远小于其它态的退激发几率，这证明了五重态比其它三重态和单重态更加稳定。3.研究了类C到类F铝离子内壳层激发态kα辐射跃迁过程，包括辐射跃迁几率、辐射跃迁能量和辐射跃迁谱。详细讨论了电子关联效应对能量和辐射跃迁几率的影响。研究结果表明：对于处于内壳层激发态和基态的类C到类F铝离子而言，主要的电子关联效应来自于价电子-价电子之间的相互作用。一般而言，从类C到类F铝离子，随着核外开壳层电子数的增多，电子关联效应对能级结构的影响越来越大。电子关联效应对类C到类F铝离子kα辐射跃迁过程的影响反映在库仑和Babushkin两种规范下计算的辐射跃迁几率的一致性上。考虑电子关联后，两种规范下的辐射跃迁几率一致性变好。本文计算的类C到类F铝离子的kα辐射跃迁谱也与最近的实验谱符合很好。4.研究了类Be氖离子高双激发态1s23l3l′的能级结构、俄歇退激发和辐射退激发过程。在计算过程中系统考虑了电子关联效应和弛豫效应。详细讨论了类Be氖离子双激发态1s23l3l′总共35个态的俄歇跃迁规律。研究结果表明：越靠近电离域的态的俄歇几率越大。对一个确定的组态，单重态的总的俄歇退激发几率要大于三重态的俄歇退激发几率。这是由于单重态中两个电子自旋相反，使得它们可以处于同一空间位置，因而两电子的相互作用也越强。相比于俄歇退激发几率，辐射退激发几率要小2-4个数量级。说明对于类Be氖离子而言，俄歇退激发过程要比辐射退激发过程重要的多。另外，本文计算结果与实验和其它理论计算结果符合很好。