无线通信技术的迅猛发展对频率器件提出了微型化、低功耗、高性能等要求。传统射频频率器件的解决方案主要是微波介质陶瓷和声表面波(SAW)技术。前者虽有较好的性能，但体积太大；后者体积虽小，但存在着工作频率不高、插入损耗较大、功率容量较低等缺点。薄膜体声波谐振滤波器(FBAR filter)既综合了介质陶瓷性能优越和SAW体积较小的优势，又克服两者的缺点，其工作频率高、功率容量大、损耗低、体积小，是目前唯一有望集成的射频滤波器技术，正成为国内外研究的热点。　　 为了模拟器件性能和指导器件的制备，本文从基本的压电方程和运动学方程出发，推导了谐振器的一维Mason等效电路模型与MBVD模型，利用射频仿真软件(AdvancedDesign System，ADS)对FBAR滤波器进行电路设计与仿真，模拟了器件的频率特性，为器件的制备与分析奠定了理论基础。　　 AIN压电薄膜作为薄膜腔声谐振器的优选压电材料，是器件制作的材料基础。本文采用射频磁控反应溅射技术，通过优化溅射工艺条件，在Mo电极上沉积出了重复性好的高质量c轴择优取向AIN薄膜，薄膜X射线衍射仅呈现(002)峰，且有良好的柱状晶结构，平滑的表面，适于器件应用的需要。　　 采用MEMS工艺制备了具有三明治结构的背空腔型体声波谐振器。在谐振器的基础上制备了3级梯形结构的薄膜腔声谐振滤波器，利用高频网络分析仪和微波探针台测试其频率特性，所制备的滤波器结构完整，图形整齐，并得到滤波器的带宽为180MHz，带外衰减为-10.12dB，插入损耗为-5.15dB。