采用射频磁控溅射法在Si（100）基底上成功制备了系列的FeNiN薄膜。系统地研究了氮气分压、Ni含量、溅射功率、薄膜厚度、基底温度和退火温度等工艺条件对薄膜结构和磁性的影响。用X射线衍射对FeNiN薄膜样品的结构和物相进行了分析。FeNiN薄膜的化学价态和成份用X射线光电子能谱测得。FeNiN薄膜的磁特性由振动样品磁强计测得。膜厚测量采用台阶仪（Dektak 6m）。薄膜的表面形貌用原子力显微镜（AFM）测量。薄膜表面的磁畴形貌用磁力显微镜（MFM）测量。实验发现氮气分压和Ni含量对薄膜的物相生成起着决定性作用。基底温度也是影响FeNiN薄膜结构与磁性的一个主要因素。对于基底不加热的氮分压系列,随着氮含量的增加,薄膜面内磁各向异性随着氮含量的增加发生了向各向同性的转变。对于基底温度为473 K的氮分压系列,则发生了明显的相转变α-（Fe,Ni）N→ξ-（Fe,Ni）2N。Ni掺杂FeN化合物促使结构发生了从体心立方相α-（Fe,Ni）向面心立方相γ-（FeNi3）4N的转变,提高了薄膜的软磁性能。随着溅射功率的增加,薄膜结构的有序度增强,在300 W时生成了高度有序的（Fe,Ni）N0.0324相,在400 W时,该相出现（200）择优取向,这与材料生长过程中不同晶面的自由能有关。同时,随着溅射功率的增加,周期排列的条状磁畴变得更加清晰,其原因是薄膜本身的垂直各向异性随着溅射功率的增加而增强。在450 oC的条件下退火,制备态的FeNiN薄膜没有发生相变反应,说明薄膜具有较好的热稳定性。实验所制备的薄膜均表现出光滑的表面和良好的软磁性能。最优化条件是在300 W的功率下和氮气分压为P_N2 = 3.0%时,所制备的FeNiN薄膜室温下饱和磁化强度为¹900 emu/cm³ ,高于同样条件下测得的纯铁的饱和磁化强度,矫顽力只有¹ Oe,具有良好的软磁性能。