二维晶格失配外延生长是比较接近实际的薄膜生长模式,从原子水平上认识二维晶格失配外延薄膜生长的本质规律,对于薄膜制备工艺参数的优化、薄膜质量的提高都有非常重要的理论指导意义。本论文使用三维分子动力学方法,采用四阶Predict-Correct算法来求解体系运动方程,采用嵌入原子法(EAM)多体势来计算铝原子之间的相互作用,采用了Langevin恒温算法来保持恒温,分别对300K、500K、700K和800K温度下薄膜厚度分别为1、3、6、10、15个原子层的二维晶格失配外延铝薄膜分别在±2%、±4%、±6%失配度情况下的结构弛豫进行了模拟研究。主要结论如下：1.二维晶格失配情况下失配位错出现的厚度与温度和失配度有关：失配度相同,不同温度下,出现失配位错的厚度也有所不同,在较高温度下,出现失配位错的厚度略有减小；温度相同时,随着失配度的增大,失配位错的出现厚度逐渐减小。2.失配性质对二维晶格失配外延铝薄膜的结构和位错形成有较大影响：同等条件下,负失配度时位错形成所需外延层厚度要比正失配度的更薄,或同厚度时位错形成的时刻更早；负失配度情况下,位错的形成始于表层一个倒三角锥形的间隙原子团；正失配度情况下,位错的形成始于表层原子凹陷的畸变区；结构稳定后,负失配度体系在表层挤出局部原子层；正失配度体系四角上会出现凹陷区。