现代移动通讯技术的迅猛发展,使市场对低成本,高性能射频器件的需求日益强烈。目前,世界上几乎每一家IC生产厂商,甚至一些作为SiGe竞争对手的GaAs公司,都加入了SiGeHBT的开发行列。随着SiGe技术的发展,不仅仅是模拟产品,而且将会有更多的数字产品利用SiGe技术。本文基于应变SiGe材料的基本物理特性,建立了包括电流增益,特征频率、最高振荡频率在内的主要电学参数模型。分析了SiGeHBT寄生势垒与异质结势垒产生的机制,研究了该势垒与异质结势垒对器件电学性能的影响,提出了抑制寄生势垒与异质结势垒效应的措施,即在集电结和发射结处增加SiGe本征层,以及在集电区靠近基区侧引入Ge,形成同质集电结的方法。在以上研究的基础上,利用ISE软件对器件材料物理参数与器件几何结构参数对SiGeHBT的电学特性,尤其是频率特性的影响进行了分析,获得了优化的SiGeHBT器件结构。其特征频率可达95GHz,最高振荡频率为170GHz,最大电流电流增益134。并基于器件结构给出了采用非选择性外延实现的双多晶SiGeHBT工艺流程。