纳米技术领域最近有很大的发展，各种准一维纳米材料如纳米线、纳米针、纳米带和纳米管等相继被合成和分析。这些优异的材料具有高比表面的独特结构，因此它们展现了一些新奇的物理特性。它们在各种纳米级的电子学、光电子学、磁电子学和传感器件中有着潜在的应用。本文采用热蒸发的方法制备出Al₂O₃／SiO₂同轴纳米线异质结、Zn₂GeO₄包裹的ZnO纳米棒阵列和Ge掺杂ZnO纳米梳、In掺杂Ga₂O₃纳米线等准一维纳米材料，并利用场发射扫描电镜（FE-SEM）、X射线衍射（XRD）、透射电镜（TEM）、高分辨透射电镜（HRTEM）、能量弥散X射线衍射仪（EDS）以及光致发光谱（PL）等分析测试手段，对所合成的纳米材料的形貌、成分、结构以及物性进行了研究。根据测试结果我们探讨了不同形貌纳米结构的形成原因和生长机制，并对其发光性质做了进一步的分析。以下是本文的主要研究结果：1．具有周期孪晶结构的Al₂O₃／SiO₂同轴纳米线异质结的合成及表征利用Al粉（纯度为99.999％）和SiO粉的混合物，通过最简单的热蒸发法，我们成功合成了大量具有周期孪晶结构的Al₂O₃／SiO₂同轴纳米线异质结。这种Al₂O₃／SiO₂同轴纳米线异质结的生长过程是基于气—固生长机制。我们用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、能量弥散X射线衍射仪（EDS）和光致发光光谱（PL）等测试手段对制得产物的形貌、微观结构和光学性能进行了研究。研究表明这种具有两层结构的纳米线线径均匀，直径范围大约在100-150nm之间。其中芯部为直径约为50nm的具有孪晶结构的Al₂O₃纳米线，外层为非晶SiO₂外壳。在室温测得的PL谱经过拟合可以得到三个发光峰，分别是364nm、398nm和442nm。2．Zn₂GeO₄包裹的ZnO纳米棒阵列和Ge掺杂ZnO纳米梳的合成和光致发光性能研究通过最简单的热蒸发法在Si衬底上成功合成了Zn₂GeO₄包裹的ZnO纳米棒阵列和Ge掺杂ZnO纳米梳。用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、能量弥散X射线衍射仪（EDS）和光致发光光谱（PL）等测试手段对制得产物的形貌、微观结构和光学性能进行了研究。对于纳米梳，梳柄一边的梳齿比另一边的梳齿要长，但是两边的梳齿有一样的直径范围，约为数十纳米。Zn₂GeO₄包裹的ZnO纳米棒阵列和Ge掺杂ZnO纳米梳的生长过程是基于气—固生长机制。我们对产物室温下的光致发光性能进行了研究。光致发光谱显示所得纳米结构有一个发光中心在382nm的窄的紫外发光峰和一个发光中心在494nm的宽的绿色发光峰。3．In掺杂Ga₂O₃纳米线的合成及生长机制、光学性能研究在1000℃温度条件下，通过热蒸发金属Ga和In₂O₃的混合物，我们合成了In掺杂Ga₂O₃“Z”字型纳米线和未掺杂的Ga₂O₃纳米线。这些纳米线的生长过程是基于气—固生长机制。我们用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、能量弥散X射线衍射仪（EDS）和光致发光光谱（PL）等测试手段对制得产物的形貌、微观结构和光学性能进行了研究。研究显示那些直径均匀的纳米线直径大约为100nm，而那些“Z”字型纳米线直径约为几百纳米。在室温光致发光谱中，只观察到一个强而宽的发光带，中心位于457nm处，属于绿光区，是由氧空位和镓氧空位对的复合辐射发光引起的。