有机场效应管（OFET）与传统晶体管相比具有低成本、可弯曲等优点，在大面积柔性显示、传感器等领域具有广阔的应用前景。降低OFET成本的有效途径是全溶液法工艺的开发，主要包括溶液法制备有机半导体膜、有机栅介质膜等。在聚合物栅介质材料方面，常见的有聚酰亚胺(PI)、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）、聚乙烯醇（PVA）和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等。其中，PVP具有较高的介电常数，可以制备较大的单位面积栅电容，有利于降低OFET的工作电压。但是溶液法制备的PVP栅介质膜在厚度小于30nm时，漏电流密度很大，因此，研究低漏电超薄PVP栅介质膜工艺对全溶液法制备OFET及其应用是非常关键的工作之一。溶液法制备PVP栅介质膜、改善漏电流的方法有很多，如添加不同的交联剂、改变交联剂的质量百分数，制备PVP/PMMA复合膜以及添加修饰层等，对溶液旋涂和退火工艺的改善却鲜有涉及。本文另辟蹊径，探讨的重点集中在PVP栅介质膜制作工艺的优化改进，以此来制备超薄的低漏电PVP膜，主要分一下几个内容：（1）溶剂蒸汽辅助旋涂对PVP介质膜旋涂的影响。为了能够制备出更薄的栅介质薄膜，本文在溶液旋涂的基础上，使用了溶剂蒸汽辅助旋涂工艺。首先选择PGMEA为溶剂，选用PMF为交联剂配制成交联PVP前驱液，并使用溶液旋涂法在P型硅片上制备交联PVP前驱体，控制整个旋涂过程处于可密闭的有机溶剂蒸汽环境，发现用无水乙醇蒸汽辅助旋涂工艺后，使用高浓度的交联PVP前驱液能够制备得到更小的PVP栅介质膜厚度，获得了更高的单位面积栅电容。尤其是改进工艺后，使用2wt%质量百分比的交联PVP前驱液时，能够制作出最小为10nm厚度的栅介质薄膜，其单位面积电容能够达到442nF/cm2（交联PVP的介电常数测定结果为5.0）。（2）溶剂蒸汽辅助退火对PVP介质膜退火的影响。考虑到介质层的表面形貌严重制约着有机场效应管的性能，而且发现，在进行无水乙醇蒸汽辅助旋涂之后，PVP前驱体薄膜的表面形貌发生了无规则的变化，因此需要在得到更薄栅介质膜的同时，能够降低其表面粗糙度。本文在介质膜真空退火之前，进行辅助退火预处理，设置此预处理处于密闭的有机溶剂蒸汽环境，对比了不同有机溶剂处理下的效果，发现苯甲醚在室温下的饱和蒸汽压适中，对PVP前驱体表面的处理效果优良，AFM测试表明苯甲醚蒸汽辅助退火能够使薄膜表面粗糙度有明显的改善，介质膜的漏电流也有明显的改善。实验中控制苯甲醚蒸汽辅助退火的时间为21分钟，经过真空退火后，PVP介质薄膜的平均表面粗糙度由0.36nm降到了0.21nm，空间电荷限制电流法（SCLC）的分析结果表明薄膜体内陷阱密度减少了26%。