碳化硅（SiC）是一种具有较大的电子饱和漂移速度、高临界击穿电场和高热导率的宽禁带化合物半导体材料，其器件工艺与现有的Si平面工艺兼容，是制造高温、高频、高功率、高压以及抗辐照器件的首选材料。但是在SiC的氧化过程中，伴随CO、C等产物的释放，大量的缺陷被引入氧化层中。目前许多研究人员使用不同的方法来提高SiO₂层的质量和SiO₂／SiC的界面特性，并采用二次离子质谱（SIMS）、X射线光子能谱（XPS）等方法配合C-V特性来研究SiC表面氧化层和界面层中主要元素和价态的分布及其随退火处理的变化。通常红外吸收光谱强度取决于分子结构的对称性，而峰位是分子结构中各基团振动模式的反映，而SiO₂在中红外区存在特征吸收峰，所以可以使用红外吸收光谱技术来对SiO₂／SiC的结构进行测量。目前使用红外吸收光谱技术对SiO₂／Si的测量已有报导。但是对SiO₂／SiC使用红外吸收光谱对其结构进行测量的报到很少，目前仅有使用红外吸收光谱对SiC晶体和使用全反射红外吸收光谱对SiO₂／SiC进行测量，原因是SiO₂的特征吸收峰与SiC晶体的剩余射线带在红外吸收光谱中靠的很近甚至重叠，这样在从光谱中获得分子对称性和结构以及进行定量分析时比较困难。本文对SiC和Si热氧化生成的SiO₂层及其退火性质进行红外反射光谱的研究，初步认为在几个典型的SiO₂红外反射特征信号中，非对称伸缩振动峰1087cm^-1最有可能反映出氧化层的质量；而出现在751cm^-1附近的与氧化和退火有关的峰尖和峰谷的变化尚不清楚其机理。