微型化已经成为印刷线路板和电子封装材料发展的主要方向之一，聚合物基电子封装材料在电子器件封装应用中具有广阔前景。在实际电工和电子应用领域中，除了考虑电介质材料具有低的介电常数外，还必须尽可能使其具有较大的热导率，以满足线路板和器件日益增大的导热(散热)需求。本实验通过将高导热的纳米氮化铝(n-AlN)通过机械搅拌分散和球磨分散工艺加入到新鲜合成的聚酰亚胺(PI)中以提高纳米复合薄膜的导热系数。采用γ—氨丙基三乙氧基硅烷偶联剂(KH550)对n-AlN粒子表面进行物化处理，以提高有机—无机两相界面的结合力。采用TEM、SEM、TGA、阻抗分析仪和导热分析仪对材料的微观结构、热性能、电性能等进行了研究。结果显示无机粒子在纳米复合薄膜中分散均匀，导热系数由纯聚酰亚胺的0.16 W/m·K提高到0.36 W/m·K，同时使介电常数保持在4以下。而且，球磨工艺得到的薄膜的性能要远远优于机械搅拌得到的薄膜性能。这样的材料在电子封装材料和印刷线路板中具有很大的应用前景。