本论文主要包括五个方面： 1．介绍了大功率半导体激光器制作工艺并对自行制作的808nm，915nm器件进行了测试分析，测试结果为最大输出功率分别为0.9W和0.66W，斜率效率分别为0.82和0.43W／A。 2．研究了温度对激光器各参数的影响，随着温度的增加，阈值电流呈指数增加，输出功率和斜率效率分别呈抛物线和指数关系递减，同时特征温度也减少，波长随温度的漂移系数为0.24nm／℃，并且总结了一些温度和结构设计方面的关系。 3．分别从理论上和实验上计算分析了激光器在工作时腔面的温度分布，理论上采用的是Henry模型，实验上通过光致发光和拉曼光谱法测试了激光器在工作时的腔面温度分布；结果表明光致发光法测量的较为准确，拉曼光谱法测量的值偏大，由于我们对理论模型做了一定的近似，理论结果偏大，但理论值在大注入时和光致发光法符合的较好，由此可见光致发光法对研究腔面的温度有更大的优越性。 4．对激光器进行恒流恒温老化，用电导数研究激光器的可靠性，并分析影响激光器可靠性的因素。我们对几十只InGaAsP大功率半导体激光器进行导数测试和恒流老化，参数测试分析结果表明： (1) 数曲线和等参数可以用以评价器件的质量和可靠性。器件尺寸、结构及工作条件决定了m、h取值偏低，b值偏大。 (2) m、h值大，b值小的器件是质量和可靠性不好的器件 (3) 导数曲线上的峰与光导数曲线上的峰相对应，反向峰通常与器件的可靠性无关，而同向峰的存在于器件的质量和可靠性密切相关，有同向峰的器件通常是质量不好的器件，这类器件老化后特性明显变差，这意味着导数曲线上的同向峰可以作为高功率半导体激光器可靠性筛选的一个辅助判据。 5．半导体激光器退化失效的类型及原因，以及怎样正确使用器件。