本文在t-J-U模型和Gutzwiller平均场理论的框架下，对铜氧化物高温超导材料基态相图以及电子的次近邻跃迁对相图的影响进行了较为系统的研究。第一章简单介绍了可以描述CuO2平面内基本的低能物理过程的t-J-U模型，并介绍了目前国际上公认的可以较好的处理电子之间强相互作用的Gutzwiller平均场近似。 应用Gutzwiller平均场理论，第二章系统地讨论了铜氧化物高温超导材料基态时的相图：首先从t-J-U模型出发系统地研究了gossamer超导体中d波超导和反铁磁的相互作用。得到了基态情况下铜氧化物高温超导材料的相图。在标准参数t/J=3和大U极限下，欠掺杂区域内反铁磁序和d波超导序共存直到掺杂浓度0.1附近。随着掺杂浓度的增大，d波超导序参数从0开始增加，在最佳掺杂浓度0.15附近达到一个最大值。在小U的极限下，只有d波超导序存在，而反铁磁序消失。当U增大到一定临界值，反铁磁序出现并在欠掺杂区域和d波超导序共存。在半满的情况下，我们研究的系统在U较小时为gossamer超导，在大u情况为反铁磁绝缘体。 第三章讨论了电子次近邻跃迁对基态相图的影响。结果发现，在目前的理论框架下t-t-J-U模型的基态物理性质和与t-J-U模型的性质定性一样，但是随着电子次近邻跃迁的增大，超导序参数在欠掺杂区域受到抑制，在最佳掺杂和过掺杂区域得到加强，从而导致反铁磁序和d波超导序共存区域变大，d波超导序在很大的掺杂浓度范围内一直存在，这和相关数值模拟结果定性相符。