多金属氧化物钼掺杂BiVO4是一种稳定、廉价同时环境友好的半导体材料，而石墨烯因其优异的光、电、热、磁等效应也引起了科研工作者的广泛关注。在光催化或光电化学材料设计领域，新型的石墨烯基-半导体复合材料被广泛认为是一种极具应用潜力的太阳能转换材料。　　在本文中，通过恒电流还原沉积法在Mo掺杂BiMo0.03V0.97O4(BiMoVO)光电化学薄膜表面制备了石墨烯包覆层。当石墨烯沉积时间为600s时的BiMoVO/Graphene(BiMoVO/G)光阳极具有最佳的光电化学性能，在外加偏压为1V时光生电流密度达到3.5mA/cm2，较单纯的BiMoVO光阳极提升了约2.3倍，同时该光电极具有很高的光电化学稳定性。光电化学性能的提升得益于石墨烯包覆层可成为BiMoVO薄膜产生的光生电子的受体，同时石墨烯上的光生电子可通过石墨烯传输通道迅速向基底传递，从而有效提升了光生电子和空穴的分离效率，延长了光生电子的寿命。