低毒无镉量子点发光二极管界面修饰工程研究

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半导体量子点(QDs)由于具有光致发光量子产率(PL QYs)高、发光峰窄、发射光谱连续可调、发光稳定性好等特点受到了研究者们的广泛关注,量子点电致发光二极管(QLEDs)是QDs在光电器件领域的重要应用方向之一。尽管近年来器件性能已经得到了显著提升,但是器件中仍然存在电荷注入不平衡的问题,尤其是无镉QLEDs,因此提高无镉QLEDs器件性能变得十分重要。本论文围绕电子传输层(ETL)和空穴注入/传输层(HIL/HTL)的调控对无镉Cu-In-Zn-S/ZnS基和InP/ZnS基QLEDs器件性能的
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