石墨烯自发现以来以其优越的性质引起了广泛关注，在目前众多制备石墨烯的方法中，SiC外延法由于无须衬底转移并且与当前硅平面工艺相兼容，被认为是最具潜力的方法之一。本文通过实验探究了外延SiC衬底制备石墨烯的工艺条件，并对实验结果进行表征，较为精确地分析了表面形貌及层数，最终得到了大面积高品质的石墨烯。首先，本文阐述了石墨烯的基本晶体结构，以此为基础详细介绍了石墨烯的优异性能和应用前景。总结了当前制备石墨烯的主要方法，对比分析了其优缺点，并详细介绍了本文应用的最主要的表征手段Raman光谱。然后，基于兰州化学物理研究所的真空碳管炉，设计实验，探究了小封闭空间高温热解SiC衬底外延石墨烯的工艺条件。本文结合实验结果对工艺过程进行优化，总结出不同方法在不同衬底上制备石墨烯的最优工艺参数及各参数的影响规律，最终生长出三英寸高品质石墨烯。最后，基于兰州化学物理研究所的管式炉，探究了氯化SiC衬底制备石墨烯的工艺条件。该方法将氯化法分成两步进行，首先在Cl2氛围下进行氯化过程，在SiC表面形成无定形碳膜；然后通过退火重组得到石墨烯。研究发现Cu在退火过程中可以促进无定形碳中碳原子的重组，有助于提高石墨烯的质量。