半导体桥作用特性及其规律研究

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本论文主要研究半导体桥的电激励特性及在SCB作用过程中的能量转换规律。本文比较全面地综述了SCB的研究和发展状况,系统地研究分析了SCB火工品的作用机理;本论文的主要有以下内容:(1)电容放电激励条件下,N型SCB和P型SCB的电爆特性;(2)恒流源激励条件下,N型SCB和P型SCB的电爆特性。本论文的主要结论如下:(1)电容放电条件下N型SCB的电爆特性规律:①电容一定时,充电电压越大,SCB发火时间越短,SCB发火时间趋于一定值,约2.0μs;SCB的能量利用率也降低。②固定充电电压条件下,电容容量越大,SCB发火时间越短,SCB的能量利用率也是降低的。P型SCB的电爆特性规律:①电容一定的条件下,随着充电电压的增大,发火时间越来越短;能量利用率也是随着充电电压的增大而降低的。②在固定充电电压条件下,电容容量越大,SCB发火时间越短;SCB的能量利用率也是降低的。(2)恒流源条件下N型SCB的电爆特性规律:随着电流值的增大,发火时间越来越短,到12A之后基本趋于一定值,约为15μs。P型SCB的电爆特性规律:随着电流值的增大,发火时间越来越短,并趋于一定值,约为17μs。
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