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用直流磁控溅射法制备了超坡莫合金NiFeSiMoMn(20nm~3000nm)单层膜、NiFeSiMoMn(20nm~200nm)/Cu(50nm)双层膜和NiFeSiMoMn/Cu/NiFeSiMoMn三明治膜。通过降低溅射速率和在基底上沉积30nm的Ta buffer(缓冲层),解决了难以溅射生长厚膜的问题,成功制备了厚度3μm的单层膜和每层厚度2.6μm的三明治膜。 单层膜随着厚度的增加呈现非晶态,1000nm以上为完全非晶态。膜的软磁性能随厚度的增加迅速变差,认为