金刚石具有优异的机械性能、热力学性能、光学性能、声学性能、半导体性能及化学惰性,作为一种全方位的多功能材料,在诸多领域具有非常广阔的应用前景。尽管CVD金刚石膜的问世缓解了天然金刚石储量极少和价格昂贵的问题,但它表面质量太差,很多情况下难以直接使用。因此金刚石膜的抛光技术已成为扩大金刚石膜应用的关键技术之一。在过去的近二十年中,大量的学者和工程人员对金刚石膜的抛光进行了深入的研究,探讨了多种抛光方法,建立了多种理论模型,取得了丰硕的研究成果。但这些抛光方法所能达到的表面粗糙度Ra停留在亚微米级,比如:电火花抛光、热化学抛光等,而且容易对金刚石膜的表面造成损伤,缺少一种超精密低损伤的抛光技术。因此学者们对于CVD金刚石膜的抛光技术的研究从未间断,不断涌现出新的理论和方法。本文采用一种化学机械抛光方法对CVD金刚石膜的抛光进行了研究,主要的研究内容和结论如下:(1)根据氧化还原电位选择10种氧化剂进行了抛光试验,研究了不同氧化剂对金刚石膜的材料去除率和表面粗糙度Ra的影响。根据试验结果,优选出了高锰酸钾作为抛光液的氧化剂。(2)选用硫酸、磷酸、三氯化铁等化学试剂作为添加剂进行了抛光对比试验,选择了材料去除率及表面粗糙度Ra均比较好的磷酸作为抛光液的添加剂。通过对磷酸的浓度进行优选,发现当磷酸的浓度为磷酸:去离子水=115ml:35ml时抛光效果最佳。(3)在确定了氧化剂和添加剂的基础上,对磨料的硬度、粒径进行了优选,试验结果表明:在粗加工时,采用粒径10μm的金刚石作为磨料,精加工时采用粒径2μm的碳化硼磨料可以获得最佳的效果。(4)对抛光盘的材料进行了优选,研究结果表明:在粗加工时宜采用耐磨损的碳化硼盘,而在精加工时宜采用硬度适中、载料能力强的玻璃盘。(5)最后通过正交试验研究了抛光的主要工艺参数,优化出了最佳工艺参数:抛光压力为0.35MPa,抛光盘转速为50r/min,配重块转速为70r/min,抛光温度为50℃。(6)采用优化工艺抛光后的金刚石膜表面,没有出现变质层或其他杂质,表面品质良好。