【摘 要】
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二氧化钛(TiO_2)作为一种无毒、化学性质稳定、廉价的半导体,逐步成为太阳能电池材料研究的热点。但是TiO_2禁带宽度较大(E_g = 3.0-3.2 eV),只能吸收占太阳光谱大约4%的紫外辐射,同时,光生电子和空穴复合几率较高,导致TiO_2的光生载流子利用效率较低。为了解决这一问题,本文采用锗(Ge)、硅(Si)量子点对TiO_2纳米薄膜进行掺杂改性,缩小了它的带隙,显著增加其对太阳光的吸
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二氧化钛(TiO_2)作为一种无毒、化学性质稳定、廉价的半导体,逐步成为太阳能电池材料研究的热点。但是TiO_2禁带宽度较大(E_g = 3.0-3.2 eV),只能吸收占太阳光谱大约4%的紫外辐射,同时,光生电子和空穴复合几率较高,导致TiO_2的光生载流子利用效率较低。为了解决这一问题,本文采用锗(Ge)、硅(Si)量子点对TiO_2纳米薄膜进行掺杂改性,缩小了它的带隙,显著增加其对太阳光的吸收和利用,有望在新一代太阳能电池中得到应用。本文采用离子束溅射法制备了Ge和Si单量子点和双量子
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