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透明电子学日渐受到越来越多的关注,它主要研究透明的电子器件及电路等,其在消费电子产品尤其是显示领域有非常大的应用前景。透明氧化物p-n结是透明电子学中的基础元件,研究其光电性能对透明电子学的发展有着十分重要的促进作用。本论文主要是探索基于透明氧化物半导体的p-n异质结的制备和性能研究,研究的主要内容如下:采用脉冲直流反应磁控溅射技术制备了Zn O,CoOx和NiO金属氧化物薄膜,其中在生长Co Ox和NiO薄膜时改变通入氧气的流量从而调控薄膜的相结构或性能,所制备的薄膜与基底具有良好的结合力,薄膜平整且均匀性较好。采用多种技术表征了所生长的薄膜相结构和光电性能等。然后利用ZnO薄膜作为n型材料,不同氧气流量下生长的CoOx和NiO薄膜分别用作p型材料制备了p-n异质结,测试其I-V曲线并研究器件的性能参数。通过上述的实验和测试表征我们得到的结果如下:（1）Zn O薄膜为纤锌矿结构,并沿<001>方向择优生长,薄膜在可见光范围内透明性能良好,其电阻率约为596 Ohm·cm;（2）CoOx薄膜随氧气通入量的增加相结构发生了改变,依次获得了立方岩盐相CoO、六方纤锌矿相CoO和立方尖晶石相Co3O4三种相结构。立方岩盐相CoO在可见光范围内透明性良好,但是Co3O4在可见光范围几乎全吸收。（3）获得的所有NiO薄膜均为岩盐相,其相结构不随薄膜生长时氧气流量的变化而发生变化,NiO薄膜在可见光范围内透明性能良好,而且平均透过率随生长时氧气流量的增加呈递减趋势,而其电阻率随生长时氧气流量的增加有先增加后减小的趋势,在12 sccm氧气流量条件下生长的NiO薄膜具有最大的电阻率值。（4）我们测试了所组装p-CoOx/n-Zn O的p-n结的I-V曲线,获得了其阈值电压、整流比和理想因子等性能参数。结果发现所组装的p-n异质结均具有良好的整流效应,但是其反向偏压下的漏电流较大,而且器件的稳定性和重复性能较差。（5）相比较来说p-NiO/n-ZnO异质结整体性能良好,每个器件样品均表现出良好的整流效应,具有较小的阈值电压,而且阈值电压是氧气通入量的函数,随生长Ni O薄膜层时氧气流量的增加阈值电压先减小后增大,而且具有最大电阻率的NiO组成的p-n结具有最佳的电学性能,包括较大的整流比、较小的阈值电压、较小的理想因子。