近年来,无线通信市场的飞速发展对小型化、低功耗、低成本、高性能的收发机提出了大量的需求,使得射频集成电路越来越受到人们的重视,成为当今科技研究的热点。本文围绕射频集成电路中应用的无源硅基片上螺旋电感和有源器件砷化镓高电子迁移率晶体管进行了相关的研究,得到了一些新的结果和新的建模方法。主要的研究内容和结果摘要如下:本文在经典的双π物理模型的基础上,考虑硅基衬底磁性耦合,得到了一个改进的RLC等效电路模型,并将实测数据和模型拟合结果进行比较,对模型进行了验证。本文在砷化镓高电子迁移率晶体管的直流I-V建模研究中,采用了参数拟合的思路,对Angelov模型和电热大信号模型分别进行了修正。得到的改进模型沿用了原来模型中的I-V函数形式,但对其参数进行了调整。通过验证,得出新模型的准确性。另外,建模的过程中需要进行必要的数据处理,包括有限差分逼近求导和数据平滑。最后,本文还讨论了神经网络在射频器件建模中的应用。神经网络作为一种快速准确的建模工具,已经用于电磁工程计算机辅助设计之中。