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随着现代信息技术的发展,人机之间的信息交换更加频繁,从而对信息存贮载体、信息传输速率及信息显示器件提出了更高要求,而光学材料是光信息存贮和信息显示器件的基础.该论文对在信息存贮和信息显示领域有巨大潜在应用价值的宽禁带半导体材料ZnO进行了研究,并对用于高性能平板显示的新型氧化物电致发光材料进行了探索.通过研究脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜过程中基片温度和氧气压等对薄膜的结构和发光性能的影响,对脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的工艺条件进行了优化.分别在玻璃、硅(100)、砷化镓(100)和蓝宝石(0001)等基片制备出了高度c-轴取向的ZnO薄膜,研究了不同基片上的薄膜的生长特性,分析和阐述了晶格失配对薄膜的生长、薄膜的微观结构及光学性能的影响.用脉冲激光沉积法在500℃和200mTorr条件下制备了Ga掺杂的ZnO外延膜,系统研究了掺杂量在0.4 at％~3.0 at%变化时薄膜的结构和光学性能.研究发现随Ga掺杂量的增加,ZnO的近带边发射峰向高能方向移动且强度迅速降低,深能级跃迁发射带由绿光区移到橙光区.研究表明近带边发射峰的移动主要是由Burstein-Moss效应引起;俄歇效应导致了近带边发射随Ga掺杂的增加产生猝灭现象;用微区应力模型解释了深能级跃迁发射带.椭偏光谱研究表明,Ga掺杂降低了ZnO薄膜可见光区的折射率.对Ga掺杂的ZnO薄膜的发光及相关光学性质的研究结果将对基于ZnO的光电器件的设计有很大帮助.以醋酸锌、醋酸镧、氧化铕等为原料,无水乙醇为溶剂,用旋涂法在玻璃基片上制备了ZnO:(La,Eu)Cl纳米结构复合薄膜.X射线衍射分析表明,用RTA热处理炉在O<,2>气氛中处理后的薄膜具有(100)取向.用溶胶-凝胶法成功合成了单一物相的Sr<,3>Ga<,2>O<,6>:Eu<'3+>发光粉体,首次报道了其发光性能.紫外激发和X射线激发光谱特点表明Eu<'3+>位于非对称中心的位置,激发和吸收光谱特征显示在发光过程中存在Sr<,3>Ga<,2>O<,6>基质向Eu<'3+>离子的能量转移现象,这说明Sr<,3>Ga<,2>O<,6>可能用于发光材料的基质材料.