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具有MOS栅控能力和双极晶体管大电流传输性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT)是21世纪最理想的功率半导体开关之一。该文在回顾功率器件的发展历史、分析IGBT器件和SDB技术及终端技术研究现状及存在问题的基础上,对由SDB及AS技术实现IGBT功率器件进行较为系统的研究,完成小面积缓变正斜角端的PT型IGBT和基由AS结构的大面积阳极短路型IGBT两类器件的成功流片。该文的主要内容为"功率器件用SDB硅片的界面电特性和界面超薄二氧化硅层的稳定性;SDB用硅片亲水处理的微观机理及其表征;理想扩散结击穿电压的解析计算和斜角终端技术;IGBT的数值分析和稳、瞬态解析;PT型IGBT的分析和优化理论;阳极短路型IGBT的数值模拟和解析模型的发展;以上两类IGBT的优化工艺和流片实验等专题性工作。