硅电容式差压传感器在国际上刚刚崭露头角，在国内尚属空白，此项目被国家列为“十五”攻关课题，以填补国内空白，适应市场的大量需求。 本文介绍了几种硅电容式差压传感器的设计方案，并且考察了仪表所现有的工艺条件和技术水平，比较各种方案对该传感器产业化的难易程度，最终确定了符合现有的工艺条件、易于产品化以及与其它产品生产相兼容的最佳方案。 硅电容式差压传感器是在沈阳仪器仪表工艺研究所研制的，利用了MEMS的各种工艺。文中详述了相关工艺的原理、流程、优缺点、及工艺条件对传感器性能的影响等。例如，KOH溶液对硅的各向异性腐蚀，磁控溅射台制作光亮的铝膜，超声打孔机制作导压孔，静电键合装置对硅岛膜与玻璃极板的阳极封接等等。对试制的前期样品性能进行了测试，发现它的重复性、回差性、滞后性基本达到设计要求，但稳定性不太理想，有时间漂移的现象。通过查阅资料和反复试验，最终找到了影响稳定性的根源，并在工艺上可以得到解决，稳定性能有所提高。可以说成功地研制出了硅电容式差压传感器。 在研制过程中，本文积累了大量的数据，曲线，图片以及各种相应的照片，它们为该传感器的研制提供了可靠的依据。 另外，本文还利用ANSYS软件对方形硅岛膜进行了力学分析，表明硅岛膜在一定压力下岛上各点的挠度。随着岛尺寸的变小，岛膜能够越来越好地平行移动。同时，岛的尺寸还要受到其它限制，例如电容相对面积的大小，硅岛膜总体尺寸的大小等等。这为力敏元件的研制提供了理论依据。