单层过渡金属硫化物（TMDCs）目前已经成为新型光电材料,二硫化钼作为单层过渡金属硫化物的典型代表引起了人们的广泛关注,在光电领域和集成电路中的应用均展现出了巨大的潜力。光子晶体属于一种人造的周期性电介质结构,其具有光子带隙特性,目前作为一个新兴的材料,由于其特有的光子带隙及光子局域作用,使得其自发辐射在光子晶体的影响下出现新的现象,研究光子带隙对自发辐射的影响对于基础研究和拓展应用都具有非常重要的意义。本文基于以上研究制备单层二硫化钼-手性向列相液晶复合结构,研究手性向列相液晶的光子带隙对单层二硫化钼荧光峰的影响。本文中采用化学气相沉积法制备二硫化钼,并对生长出的样品进行表征,分析随着层数变化,其拉曼峰差、拉曼强度以及荧光A激子峰和B激子峰的强度变化。并探究影响二硫化钼生长效果的因素。采用将手性剂S811掺入向列相液晶的方法制备手性向列相液晶,针对手性向列相液晶的透射光谱特性,制备不同浓度的手性向列相液晶,分析浓度对手性向列相液晶透射光谱的中心波长、带宽、长波带边和短波带边的影响,同时对于同一浓度手性向列相液晶改变其温度和液晶盒厚度,测试不同温度和厚度下手性向列相液晶的透射光谱,最终得到浓度、温度和液晶盒厚度对手性向列相液晶透射光谱的影响。将手性向列相液晶和沉积在硅片上的单层二硫化钼制成手性向列相液晶-二硫化钼复合结构,通过改变手性剂浓度调节手性向列相液晶的透射光谱,使得长波带边、短波带边及其光子带隙中心与单层二硫化钼荧光峰接近,研究手性向列相液晶的光子带隙对单层二硫化钼的自发辐射的影响。