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目前电子产品器件朝着微米级乃至纳米级的方向快速发展,导致对储能系统的要求越来越高,对新型能源存储系统的需求越来越大,平面微型超级电容器作为一种新型能源存储器件应运而生。平面微型超级电容器具有离子传输路径短的特性,使其具备更大的比电容。石墨烯由于其高导电率、高电子迁移率和独特的二维结构,成为一种非常理想的平面超级电容器电极材料。本文采用气液界面自组装法制备了氧化石墨烯(Graphene Oxide,GO)薄膜,通过HI酸还原法制备了还原氧化石墨烯(reduced Graphene Oxide,r-GO)薄膜,并利用制备的r-GO薄膜制备出平面微型超级电容器。本文采用气液界面自组装法和HI酸还原法,以不同浓度GO水溶液为原材料制备出r-GO薄膜,并对制备的薄膜进行原子力显微镜、X射线衍射测试和X射线光电子能谱测试及四探针测试。制备出的纳米级r-GO薄膜的碳氧原子比为7.7。本文通过调节GO水溶液浓度得到不同电导率的r-GO薄膜,当浓度为2mg/ml时,r-GO薄膜的电导率达到620.29 Scm-1。本文采用r-GO薄膜电极制备全固态超级电容器和全固态平面微型超级电容器,并对器件进行循环伏安测试,计算其电化学性能。计算结果为:全固态平面超级电容器测试的扫描速率越小,器件的电化学特性越好。在0.001 Vs-1的低扫速下,器件的面电容和体电容分别是69.565μFcm-2和2.334 Fcm-3,其能量密度为324.224μWhcm-3。全固态平面微型超级电容器测试的扫描速率范围为0.01 Vs-1到1000 Vs-1,在0.01 Vs-1的低扫速下,器件的面电容和体电容分别是20.889μFcm-2和6.528 Fcm-3,其能量密度为0.91 m Whcm-3。在1000 Vs-1的高扫速下,器件的功率密度为2.160 Wcm-3,并且其循环稳定性高达98%。本文实验研究表明,气液界面自组装法和HI酸还原法制备的r-GO薄膜电极适用于制备平面微型超级电容器。