【摘 要】
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为了实现SiC材料在非紫外光控领域的应用,拓展SiC大功率电力电子器件的非紫外光触发。本课题提出了采用脉冲供源的方法在6H.SiC衬底上使用LPCVD系统淀积Si薄膜。并利用轮廓仪
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为了实现SiC材料在非紫外光控领域的应用,拓展SiC大功率电力电子器件的非紫外光触发。本课题提出了采用脉冲供源的方法在6H.SiC衬底上使用LPCVD系统淀积Si薄膜。并利用轮廓仪、SEM、XRD、Raman Spectra等现代分析测试方法对不同脉冲周期的制备的Si薄膜样品进行表征,研究不同脉冲断源时问对Si薄膜结晶品质的影响。得到以下主要结果: 1.相比连续供源法,脉冲供源法制备的Si薄膜生长速率有所降低,但表面形貌有所改善,同时晶粒尺寸也有增大。 2.XRD测试结果表明脉冲供源法可以控制薄膜生长的择优取向当脉冲断源时间较小时,Si薄膜<220>择优生长,断源时间进一步增加Si D JJ莫择优生长,断源时时间继续增加,薄膜丧失单一择优生长趋势。 3.Raman Spectra测试结果表明,采用脉冲法且供源时间为60S,断源时间控制在30S,生长温度900。C,Hx:SiH4=400:20sccm时生长Si薄膜的Raman半峰宽最/J、A。
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