【摘 要】
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该文在分析、比较以往光折变模型的基础上.针对用以往模型无法解释的某些光折变行为,建立了双载流子-多陷阱能级光折变模型.这一模型的有关理论不仅解释了以往模型无法解释的
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该文在分析、比较以往光折变模型的基础上.针对用以往模型无法解释的某些光折变行为,建立了双载流子-多陷阱能级光折变模型.这一模型的有关理论不仅解释了以往模型无法解释的某些光折变行为,而且包容了以往相关模型预言的有关结果,并预言了新的光折变行为,同时利用掺杂KNSBN晶体证实了双载流子-多陷阱模型预言的有关结果.最后,作者利用具有双载流子-多陷阱能级的Co:KNSBN晶体实现了高性能实时全息存储,获得了很好的再现象,并分析了双载流子-多陷阱能级对实时全息存储性能的影响.该文在理论、实验、应用三方面研究了双载流子-多陷阱能级对晶体光折变性能的影响.
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