倒装LED与传统蓝宝石正装LED、垂直LED相比,具有无金线、高可靠性等优点,是未来LED芯片发展的趋势之一。但是同时存在着在固晶时的电极对位、芯片和基板存在热膨胀系数不匹配,容易失效等问题。本文主要研究倒装LED封装,在倒装LED芯片与支架之间的芯片PN电极间的沟道空隙填充AlN粉胶体、Al2O3粉胶体、导热胶,以减少热冲击对LED芯片,尤其是GaN发光层的影响,降低键合层热阻,增强封装芯片的散热性能。实验表明,填充剂的导热率越高、填充量量越高,封装器件的散热性能越好;但是与无填充相比,填充剂降低了灯珠2-5%的亮度,在240h老化的过程中,填充了的灯珠光功率维持率比未填充的高3-5%;其中性能最好的粉胶比为2:1的AlN粉胶体,其光功率在168h时已经比无填充的对照组的光功率高。说明填充剂在长时间的老化过程中是有效的。同时研究对比了填充剂、芯片和支架种类封装器件的光电、散热和老化性能。