本文研究了6H-Sic肖特基二极管（SBD）的制作工艺及基本电学参数。测试了室温下A、B两类样品的正、反向电流—电压（I—V）特性。经测定，A类样品的反向击穿电压达600V，而B类样品反向击穿电压仅为120V，并计算出A类样品的“理想因子”n=1.4～1.45，零偏压下有效势垒高度φ_e0=1.4—1.43eV。分析了A类样品较B类样品正、反向电流—电压（I—V）特性好的原因及导致A类样品的“理想因子”n偏离于1和势垒高度偏低的可能因素，并讨论了较大的串联电阻对肖特基二极管的电流—电压特性的影响。本文还测试了该样品在300K-475K的电流—电压特性。实验表明，在本实验测试的温度范围内，该样品有较好的热稳定性。同时还研究了γ辐射对该样品电流—电压特性的影响。 实验采用两种表面处理方式制作了Au／6H-SiC肖特基二极管：半导体表面用沸水浸泡的N型及P型样品（分别标为N₁,P₁样品），不侵泡的N型样品（标为N₂样品）。同样，采用I—V法测试得到P₁型样品n=1.28—1.35，φ_e0=1.27—1.37eV，N₁，N₂两类样品的“理想因子”分别为1.25—1.3，1.30—1.36，零偏压下有效势垒高度分别为1.35—1.4eV，1.30—1.38eV。总体而言，该批样品的肖特基特性比上述的Al／6H-SiC肖特基二极管更好。分析了产生这种结果的各种可能原因。同时，测试了N₁，N₂两类样品的温度特性，结果表明，N₂样品的热稳定性较N₁类样品更好，详细原因尚待研究。本文还初步讨论了电子辐照对Au／6H-SiC肖特基二极管电流—电压特性的影响。实验表明，当电子辐照剂量达1.12×10¹⁶cm^-2时，Au／6H-SiC肖特基二极管的电流电压特性开始出现较为的明显变化。