【摘 要】
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本文研究了6H-Sic肖特基二极管(SBD)的制作工艺及基本电学参数。测试了室温下A、B两类样品的正、反向电流—电压(I—V)特性。经测定,A类样品的反向击穿电压达600V,而B类样品反向击
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本文研究了6H-Sic肖特基二极管(SBD)的制作工艺及基本电学参数。测试了室温下A、B两类样品的正、反向电流—电压(I—V)特性。经测定,A类样品的反向击穿电压达600V,而B类样品反向击穿电压仅为120V,并计算出A类样品的“理想因子”n=1.4~1.45,零偏压下有效势垒高度φe0=1.4—1.43eV。分析了A类样品较B类样品正、反向电流—电压(I—V)特性好的原因及导致A类样品的“理想因子”n偏离于1和势垒高度偏低的可能因素,并讨论了较大的串联电阻对肖特基二极管的电流—电压特性的影响。本文还测试了该样品在300K-475K的电流—电压特性。实验表明,在本实验测试的温度范围内,该样品有较好的热稳定性。同时还研究了γ辐射对该样品电流—电压特性的影响。 实验采用两种表面处理方式制作了Au/6H-SiC肖特基二极管:半导体表面用沸水浸泡的N型及P型样品(分别标为N1,P1样品),不侵泡的N型样品(标为N2样品)。同样,采用I—V法测试得到P1型样品n=1.28—1.35,φe0=1.27—1.37eV,N1,N2两类样品的“理想因子”分别为1.25—1.3,1.30—1.36,零偏压下有效势垒高度分别为1.35—1.4eV,1.30—1.38eV。总体而言,该批样品的肖特基特性比上述的Al/6H-SiC肖特基二极管更好。分析了产生这种结果的各种可能原因。同时,测试了N1,N2两类样品的温度特性,结果表明,N2样品的热稳定性较N1类样品更好,详细原因尚待研究。本文还初步讨论了电子辐照对Au/6H-SiC肖特基二极管电流—电压特性的影响。实验表明,当电子辐照剂量达1.12×1016cm-2时,Au/6H-SiC肖特基二极管的电流电压特性开始出现较为的明显变化。
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