石墨烯是碳原子以sp2轨道杂化组成的平面二维材料，拥有高载流子迁移率、高热导率、高杨氏模量，在未来微电子、生物、化学等领域拥有较大的应用潜力。石墨烯在2004年被发现时就被制成石墨烯场效应器件，随着数十年学术界与工业界的不懈努力，如今超快响应速度和超高截止频率的石墨烯场效应晶体管已经问世。但是距离其实际工业化应用还有一段距离，这其中仍有一些关键问题亟待解决，如高质量大面积石墨烯的生长、高性能石墨烯场效应器件的制备、悬置石墨烯应变效应对其电学特性的影响、石墨烯场效应晶体管磁滞现象的控制等等。本文将详细介绍石墨烯的物理特性及制备方法，并结合拉曼光谱(Raman)系统研究了悬置石墨烯的应变效应，还深入探讨了镓离子辐照对石墨烯场效应晶体管磁滞现象的影响。　　本文分别采用机械剥离和化学气相沉积两种方法制备石墨烯薄膜，并将其转移到预先制备好的图形衬底上，制备出石墨烯场效应晶体管。分别利用光学显微镜、扫描电子显微镜、3D共聚焦显微镜对样品进行了详细表征，并结合Raman对石墨烯样品的层数及质量进行了鉴定。　　利用Raman特征峰对应力的敏感特性，对图形衬底上悬置石墨烯的应变效应进行了系统研究。分别利用Raman2D峰与G峰定量计算出悬置石墨烯应力分布，对比二者对应力变化表现出的敏感特性。并分别测量出有应力和无应力石墨烯场效应晶体管的输出特性曲线，计算出石墨烯沟道阻值的变化，探讨了应力对石墨烯电学性能的影响，为高性能石墨烯电子元器件的制备奠定了理论基础。　　结合聚焦离子束技术，重点研究了镓离子辐照对石墨烯电学性能的影响。利用不同剂量的镓离子对石墨烯引入晶格缺陷，并通过Raman监测引入缺陷的密度，探讨石墨烯场效应晶体管磁滞曲线的变化。随着离子辐照停留时间的增加，石墨烯晶格缺陷密度在增加。在Raman光谱表征下，D峰强度一直在增加，而G峰峰位先右移后左移。转移特性曲线中，狄拉克点逐渐向正栅压方向偏移，而磁滞先增强后减弱。镓离子辐照使高质量石墨烯的晶格遭到破坏，石墨烯由完美的单晶格结构转变成众多石墨烯纳米晶，纳米晶间的载流子隧穿传输调制着界面陷阱中电荷的密度，从而调控着磁滞现象。这为石墨烯场效应晶体管磁滞现象的可控性调制提供了新的方法。