Pb(Zr0.95Ti0.05)O3薄膜的PLD制备及热释电性能的研究

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【摘要】

：

近年来,铁电薄膜材料由于具有良好的压电、热释电、铁电特性,因此得到了广泛的关注。其中,PZT薄膜由于具有较高的自发极化,相对低的介电损耗和介电常数,而且95/5附近的PZT薄膜又具有丰富的相变,因此使其成为制备非制冷红外探测器首选材料之一。本论文对Pb(Zr0.95Ti0.05)O3薄膜的制备工艺、微结构以及电性能进行了研究。实验采用激光脉冲溅射法(PLD),在Si片上制备Si/YBCO/PZT薄

【作者】

：

董大兴

【机构】

：

南京航空航天大学

【发表日期】

：

2010年02期

【关键词】

：

PZT(95/5) PLD 铁电热释电薄膜

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