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巨电致电阻材料近年来已成为众多领域内科学家关注的一大热点。而钴掺杂钙钛矿体系因其表现出的超大磁电阻效应（CMR）和电荷有序态而备受人们的关注，其超大磁电阻效应在磁存储，磁传感器件，自旋阀，自旋晶体管等方面有着非常广泛的应用前景。由于其体系中自旋、电荷、轨道和晶格等自由度之间的高度关联，各种相互作用与相互竞争引起了丰富的物理现象，从而导致了钴氧化物的输运性质对磁场、电场等非常敏感。人们对于这类材料的磁场对输运性质的影响进行了一系列的研究，然而，电场对输运性质的影响报道却很少。最近几年，一种电流或电场引起的电阻转换效应（CER）引起了人们极大的研究兴趣，具有这种效应的材料将可能制备成非易失性随机储存器。本论文通过固相法制备了多晶陶瓷Nd1xSrxCoO3（x=0.1,0.2,0.3），研究了其组分与相结构、形貌、电阻-温度（R-T）、电流-电压（I-V）、电致电阻及其磁电阻的关系。为了进一步研究和提高钴掺杂钙钛矿体系的巨电致电阻效应，采用了溶胶凝胶方法制备了Nd1xSrxCoO3（x=0.1,0.18,0.26）薄膜和La1-xNaxCoO3（x=0.1,0.2,0.3,0.4）薄膜，本论文主要工作如下：（1）.制备了Nd1xSrxCoO3多晶陶瓷，通过对XRD分析，发现样品在常温下具有相同的正斜方Pbnm晶体结构。测试了样品在不同电流（1μA-1mA）下电阻随着温度（20K-300K）的变化情况，发现其电阻随着温度的降低而升高；其电阻随着电流的增大而减小；随着掺杂锶的增加，电阻随着锶的增加而减小。观察到了I-V明显的非线性特性。在低温下，得到了样品的最大电致电阻值为-99.51%；在常温下，样品的最小电致电阻值为-81.31%。同时，我们发现了影响电致电阻的物理机制是由电流效应引起的，并且发现电流能引起磁阻效应。低磁场下，磁阻效应随着电流的升高而降低。（2）.制备了Nd1xSrxCoO3薄膜，通过对XRD分析，发现其具有纯钙钛矿相结构，没有杂峰。测试了不同电流下电阻随着温度变化的情况，发现其电阻随着温度的降低而升高，随着电流的增大而减小。在x=0.18时，I-V曲线出现非常明显的非线性回滞现象；同时，出现正负电致电阻比值。在x=0.26时，得到其最大的电致电阻值为-99.6%；得到其最大的磁阻值为489%。（3）.制备了La1-xNaxCoO3薄膜，通过对XRD分析，发现其具有纯钙钛矿相结构，没有杂峰。20K时，样品最大ER值是-98.4%；在常温下，样品的最小ER值是-84.8%。观察到了I-V的非线性的典型特性。我们认为其电致电阻物理机制是由于电流通过铁磁区域注入到非铁磁区域，保持极化自旋到某一个深度，从而导致铁磁区域迅速增大，这样就导致电阻的迅速减小，最后出现CER效应。