热电器件能够实现热能和电能的直接转换,可用于温差发电、制冷和温度传感。在许多分散的、小功率热电转换场合,小型或微型热电器件具有非常大的优势。从薄膜材料出发制备薄膜热电器件的方法,是实现器件微型化或小型化的一种有效手段。本文采用热蒸镀工艺,制备出不同生长温度下P型和N型的热电薄膜,并对薄膜进行了XRD和SEM表征分析,同时也测量了其热电性质。结果显示P型Sb₂Te₃和N型Bi₂Te₃薄膜的分别在260℃和230℃生长温度下可获得最大的Seebeck系数,其值分别为158μV/K和-148μV/K。进一步,采用热蒸镀和自定位镂空掩模板的工艺,制备了可作为温度传感器的平面型薄膜热电器件,并测量了其开路电压和输出功率。结果表明,器件的温度灵敏度为5.40mV/K。在温差为90K时,开路电压超过了0.5V,最大输出功率达到了1.105μW,同时器件内阻也达到58KΩ。后期实验可以通过优化内阻,使器件更具有实际应用价值。我们采用热蒸镀与镂空掩模板相结合的工艺,在玻璃上制备了可作为微型器件热电臂的微尺度P型Sb₂Te₃和N型Bi₂Te₃热电薄膜,并对其进行200℃退火处理。分别采用交流法与直流法测其Seebeck系数,两者所测结果相吻合。本文的热蒸镀和镂空掩模板工艺相结合制备热电薄膜和器件的方法,可以为开发低成本、高效率的热电薄膜材料和微型热电器件提供了新的解决途径。