本文主要探索了半导体材料基底的SERS活性。采用水热合成、研磨、煅烧等成熟合成半导体材料的方法合成了ZnO微米结构的粒子,PbO两种不同结构的纳米粒子,所合成过程中均未加入表面活性剂。用低浓度的4-MPy分子修饰半导体粒子,并采用紫外-可见光谱和拉曼光谱对4-MPy分子修饰后的体系进行了研究。论文主要成果:1、通过SERS图谱中发现4-MPy分子通过与ZnO上的两种活性位点作用吸附在其表面上,这与以前报道的金属-分子体系不同,也是半导体氧化物的性质所致;2、半导体共振激发远离所用的激发线,不可能是电磁增强,所以半导体的SERS活性应该是化学增强机理所致,即电荷转移机理。基于早期的理论研究,提出了半导体-吸附分子间的一个简单的电荷转移机理,为后续研究提供一个参考;3、PbO有两种结构:四方结构的低温相α-PbO (红色)和正交结构的高温相β-PbO(黄色)。经过UV-Vis,SEM,拉曼光谱研究,发现同样作为氧化物,当4-MPy分子修饰在PbO上后,与ZnO相似,也存在分子与PbO表面的不同活性位点作用的方式。4-MPy分子吸附在不同结构的PbO上,所得的4-MPy拉曼光谱完全不同。由于α-PbO和β-PbO的晶体结构不同,使得其表面的Pb、O原子的分布不同,导致α-PbO和β-PbO表面的极性强弱不同,在详细的UV-Vis和拉曼光谱分析后,发现α-PbO和β-PbO不同的晶体结构使得吸附在晶体上的4-MPy出现不同的拉曼光谱。