【摘 要】
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二元硫族化物A2B3（A=Al,Ga,In;B=S,Se,Te）和三元硫属化物AB2C4（A=Ca,Mg,Zn,Cd;B=Al,Ga,In;C=S,Se,Te）由于其合适的禁带宽度,独特的光学和电学特性以及良好的催化性而受到人们的广
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二元硫族化物A2B3（A=Al,Ga,In;B=S,Se,Te）和三元硫属化物AB2C4（A=Ca,Mg,Zn,Cd;B=Al,Ga,In;C=S,Se,Te）由于其合适的禁带宽度,独特的光学和电学特性以及良好的催化性而受到人们的广泛关注。在这些化合物中,In2S3和CdIn2S4引起了相当大的关注,它们表现出很好的光电化学性能是非常有潜力的可见光催化材料,本论文主要分为两部分工作内容:1.通过两步化学方法制备了In2S3/TiO2/Si复合薄膜。首先利用金属辅助化学刻蚀法制备了形貌均匀的Si纳米棒阵列,然后通过喷雾热解法在Si纳米棒阵列表面喷涂了一层很薄的TiO2保护层,接着以TiO2/Si纳米棒阵列为基础,以InCl3和Na2S为铟源和硫源利用连续离子层吸附法制备了In2S3/TiO2/Si薄膜。研究了沉积次数对In2S3/TiO2/Si薄膜光电化学性质的影响。2.以Si纳米棒为基础,通过简单水热法合成CdIn2S4/TiO2/Si薄膜。以CdCl2为镉源,InCl3为铟源,TAA（硫代乙酰胺）为硫源,在150℃水热条件下在TiO2/Si纳米棒阵列上制备出了立方尖晶石结构的CdIn2S4纳米片,得到了2D/1D的复合结构薄膜。通过改变水热时间讨论CdIn2S4/TiO2/Si薄膜的形成过程,并对其光电化学性能进行研究。
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