微波限幅器、低噪声放大器是电子侦察、电子对抗等雷达接收系统中的重要部件，存在着广泛的应用。特别是相控阵雷达拥有1000-100000不等T/R组件以实现优异的性能。因此如何设计高性能、高集成度、高可靠性、低成本的限幅器、低噪声放大器，成为一个重要的研究课题。　　本文基于0.15μm GaAs p-HEMT工艺设计了X波段单片限幅器、X波段单片低噪声放大器、X波段单片限幅低噪声放大器。限幅器部分，重点分析了肖特基二极管的各个参数对限幅器性能的影响，并且提出了基于肖特基二极管的限幅器的最优结构。低噪声放大器部分，主要介绍了基于自偏压技术实现单电源低噪声放大器的原理，并且低噪声放大器实现了增益的正斜率。通过将限幅器作为低噪声放大器的输入匹配电路，实现了单片限幅低噪声放大器的设计。在片测试结果表明，基于0.15μm GaAs p-HEMT工艺设计X波段单片限幅低噪声放大器在8-12GHz增益大于27dB，增益平坦度为±0.8dB，增益为正斜率，噪声系数优于1.7dB。　　通过对X波段单片限幅低噪声放大器和X波段级联限幅低噪声放大器封装模块测试结果对比，可以发现:两者在输入输出回波损耗上具有相当的性能，单片封装模块的增益要比级联封装模块的增益高1dB，单片封装模块的增益要比级联封装模块的噪声系数优1dB。另一方面，X波段单片限幅低噪声放大器具有更高的集成度、更低的成本以及更高的可靠性，能更好的满足相控阵雷达系统对T/R模块高集成度、低成本、高可靠性的需求。