【摘 要】
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氧化层时变击变(TDDB)是MOS集成电路和主要失效机制,常常被当作器件长期可靠性 的一种标志.近30年来,人们对氧化层击穿机制,击穿模型和相关实验方法展开了大量的研究,建立了多种TDDB模型和分析技术,各种模型都有其合理性和局限性,却很难达到共识.因此至今,薄栅SiO击穿机制和模型仍然是一个悬而未决的重要的研究课题,需要更深 入的探讨、研究.该文研究分析了TDDB的两种典型模型,空穴相关击穿模型
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氧化层时变击变(TDDB)是MOS集成电路和主要失效机制,常常被当作器件长期可靠性 的一种标志.近30年来,人们对氧化层击穿机制,击穿模型和相关实验方法展开了大量的研究,建立了多种TDDB模型和分析技术,各种模型都有其合理性和局限性,却很难达到共识.因此至今,薄栅SiO<,2>击穿机制和模型仍然是一个悬而未决的重要的研究课题,需要更深 入的探讨、研究.该文研究分析了TDDB的两种典型模型,空穴相关击穿模型(1/E模型)和热 化学击穿模型(E模型),前者包括基于撞电离的和阳极空穴注入的空穴相关击模型.在深入 而广泛地分析了两种模型的起源、物理机制和寿命预测方法的基础上,讨论了它们之间的联系与差别,指出各自的优点和不足,给出了模型评估.在具体地分析模型的基础上,讨论了它们之间的联系与差别,指出各自的优点和不足,给出了模型评估.在具体地分析模型的基础上,提出了由两种模型引发的相关问题和由此得到的启示.之后,介绍了基于E和1/E模型而建立的统一模型.
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