在本论文中，作者研究了一个单电子自旋在一维自旋环境下的退相干.作为量子信息科学中量子比特的候选人之一，半导体量子点中的电子自旋在周围环境下的退相干是一个重要的研究课题.作者的一维模型是在建立在低温下半导体量子点中局域电子的退相干的研究模型的基础上的.它与普通的一维退相干模型不同的是，电子与环境自旋链上的所有自旋都通过类超精细相互作用发生耦合，且耦合强度是非均匀的，并且环境自旋之间存在偶极相互作用.对于这个在三维情况下很难严格处理的量子多体问题.作者在一维模型中采用随时间演化的密度矩阵重整化群(adaptive t-DMRG)和在一定条件下的严格解两种方法，计算了这个量子多体系统中电子自旋的相干度的演化，并严格考虑了环境的的量子动力学(区别于半经典统计处理).作者发现，超精细相互作用的强度在自旋链上的不均匀性而非其绝对强度对演化有实质性的贡献.在不同的参数区，电子自旋相干度表现出两种不同性质的演化，周期演化和退相干演化.这两种演化表现出不同的自旋回波效应.通过研究自旋链环境的相干性质，作者进一步发现，环境的纠缠度是对系统相干性描述的必要的补充.高度纠缠的自旋链环境对应电子自旋处在保持相干度的演化状态，而真正的退相干则对应环境自旋对纠缠度的衰减演化.在链长趋于无穷时，周期相干度演化在绝大部分时间都表现出相干度为零，但存在时间测度为零的周期相干恢复，这种现象通常被认为是实现了完全的退相干，但作者发现，在我们的模型中，此时整个系统实际上处于一种相干保持的状态。