高压高精度LED驱动芯片的研究与设计

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近年来,随着白光LED器件的日益发展及广泛应用,对白光LED驱动器的设计提出了更多更高要求,开发具有节能高效性能和适用于更多应用场合要求的白光LED驱动具有极大的市场前景。要保证LED的亮度恒定,必须保证LED的输出电流的稳定,因此电压控制型模式不适用于LED驱动电路。通过对各种PWM型电流控制方案的分析,可以发现峰值电流型控制模式结构简单,容易实现。系统不需要复杂的补偿网络,且工作频率固定。因此峰值电流模式广泛应用于LED驱动器的设计当中。峰值电流又分为单环和双环两种峰值电流模式。   本研究首先采用单环峰值电流控制模式设计了一款高输入电压高输出电流的LED驱动芯片,芯片内部引入频率扩展来降低EMI,频率扩展率为±2%to±4%范围内。该芯片采用CSMC公司40VBCD高压混合工艺来设计和实现。测试结果达到预期目标,但是该芯片无法工作在占空比大于50%的情况下,且没有异常保护机制,因此本文针对第一款芯片的测试结果,对芯片结构和控制方式进行了优化,提出了另外一款改进版芯片。该芯片采用双环路峰值电流控制模式,引入线性斜波补偿方案来抑制次谐波震荡,且应用打嗝保护机制来应对过压及过流异常情况。该芯片同样采用CSMC公司40VBCD高压混合工艺来设计,系统仿真结果达到预期设计。
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