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本论文主要通过对硅片表界面进行调控来抑制电子空穴对复合,从而提高光伏器件的性能。硅基杂化光伏电池的界面复合率占总复合的一半以上,为了获得高效光伏器件,对硅界面复合的抑制是必不可少的。我们通过对硅表面有机共轭导电聚合物:聚3,4已撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)的表面形貌修饰及器件背接触的改善,在相对低温(<150℃)环境下制备了高效的基于硅/PEDOT:PSS有机无机杂化异质结电池器件。本论文通过电流-电压测试、外量子效率测试、少子寿命测试、瞬态光电压测试、电容-电压测试、原子力显微镜