随着半导体技术代的快速发展，传统的SOC芯片设计逐渐变得无法制造，这个问题在铜互联技术中表现的尤为突出。本文针对铜互联工艺的几项关键技术，展开了相关的DFM基础研究，论文主要包括以下内容：(1)光刻OPC建模和检验。利用光学仿真，得到传统照明条件和6％透射率的移相掩模板组合是最佳的双重曝光组合，实际的试验结果也与模拟相同。经过优化，光刻胶B在传统照明条件(248nm 0．68NA／0．5sigma)和6％透射率的移相掩模板组合的曝光条件下表现最为优异，其工艺窗口符合双重曝光需求，经过OPC修正后，各种不同Pitch下的线宽差异减小到+／-5nm以内，并且版图、OPC模拟图像和SEM照片完美重合，使得设计具备了可制造性，可以进行量产试验。(2)钨CMP工艺建模及检验。提出钨CMP时侵蚀的模型，该模型与试验数据能很好地吻合。赝侵蚀是该模型的重要概念。模型可用于指导CMP工艺中的关于凹陷和侵蚀的分析，由此减少工艺监控环节，降低成本。(3)铜CMP侵蚀模型研究。研究了铜化学机械抛光时的侵蚀现象，提出了相关数学模型，模型能解释不同的图形密度、设计规则对化学机械抛光后侵蚀的影响。