本文用分子动力学方法，选用Tersoff势函数对低能入射Si原子与Si(001)表面相互作用的微观细节过程进行了模拟。全文共分六章：第一章简要总结了薄膜的生长理论、薄膜生长的研究方法以及入射粒子与Si(001)表面相互作用的一些重要研究成果。第二章介绍了分子动力学的基本原理和模拟中用到的一些关键技术。第三章模拟了Si(001)表面的弛豫和重构现象。结果表明：Si(001)表面层原子发生了2×1重构和向内弛豫现象；衬底温度为300K时，表面原子的重构在5ns就可以完成，温度的提高可以明显加快表面的重构进程。第四章模拟了入射初始动能为0.03 eV的Si原子与Si(001)表面的相互作用过程。结果表明：入射Si原子与Si(001)衬底(重构表面和未重构表面)的相互作用在几个皮秒内就可完成。入射Si原子与Si(001)2×1重构表面的结合能最高可达到2.99 eV而其与Si(001)未重构表面的结合能最大为2.44 eV。对于Si(001)2×1重构表面，从位置1，2，3，4入射的Si原子不能使基底表面的二聚体键断开，而从位置5和位置6入射时，表面二聚体键的断开在入射原子与基底表面原子发生相互作用几十飞秒后即可完成。第五章模拟了64个低能入射Si原子在Si(001)2×1重构表面的沉积过程。结果表明：低能入射原子的沉积是一个非常复杂的过程，随着衬底温度的提高，沉积原子的表面形貌更加的规整，生成的薄膜表面也更加平整。随着初始入射动能的增加，生成的薄膜的形貌更加的规则，但是，如果入射动能过大(＞3 eV)，则会破坏衬底原子的规则排列，不利于薄膜的生长。我们还观察到，在薄膜的生长过程中，入射原子和衬底原子之间存在着换位现象。第六章对论文的全部工作进行了总结。